[发明专利]离子敏感场效应晶体管传感器的静电放电保护设备及方法无效
| 申请号： | 95191279.8 | 申请日： | 1995-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1120985C | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·D·巴克斯特;詹姆斯·G·康纳里;约翰·D·福格尔;斯潘塞·W·西尔弗索恩 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;H01L21/70 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了给用于选择测量液体中的离子的基于感离子场效应管(ISFET)的装置提供静电放电(ESD)保护的方法、设备和芯片制造技术。由传统保护元件组成的ESD保护电路和与被测液体接触且在ISFET和液体之间无直流漏电流通路的接口被集成在形成ISFET的同一块硅片上。根据本发明的一个优选实施例，一个电容结构被用作保护电路和液体样品之间的接口。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 敏感 场效应 晶体管 传感器 静电 放电 保护 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、用于选择性测量液体中离子的设备，包括：(a)一个测量电路，包括一个在硅衬底上形成的感离子场效应管(ISFET)形式的化学离子敏感传感器；(b)一个集成在所述衬底上的静电放电(ESD)保护电路；及(c)集成于所述衬底上的电容器结构，用于提供一个所述保护电路和所述液体之间的电容器结构，其特征在于所述电容器结构提供与所述液体的接触而在感离子场效应管和所述液体之间不打开直流漏电流通路。
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