[发明专利]二氧化硅基隔离膜及其制作材料和该材料的生产工艺无效

专利信息
申请号: 95193887.8 申请日: 1995-06-30
公开(公告)号: CN1069675C 公开(公告)日: 2001-08-15
发明(设计)人: 松泽纯 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: C09D183/00 分类号: C09D183/00;H01L21/316;C09D185/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料,这种材料用来制作VLSI中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成份得到(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物,(b)含氟的烷氧基硅烷和/或(e)烷基烷氧基硅烷,(c)除硅之外的金属醇盐和/或其衍生物,以及(d)有机溶剂。根据本发明的用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料具有储存稳定性并可制作成厚层。得到的二氧化硅基隔离膜是透明且均匀的膜,而且其中未观察到裂纹或针孔之类缺陷的那些膜,还具有优异的抗氧等离子性。
搜索关键词: 二氧化硅 隔离 及其 制作 材料 生产工艺
【主权项】:
1.一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料,其特征是由下列成份得到:(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物,(b)含氟的烷氧基硅烷,(c)Ti的醇盐和/或其乙酰丙酮盐及Zr的醇盐和/或其乙酰丙酮盐的至少一种,以及(d)有机溶剂,其中:ⅰ)相对于100份重量的有机溶剂(d)而言,(a)和(b)的总含量为1-40份重量;ⅱ)相对于1摩尔(a)而言,所加入的(b)的含量为0.1-10摩尔;ⅲ)相对于总含量为1摩尔的(a)和(b)而言,所加入的(c)的含量为0.01-0.5摩尔。
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