[发明专利]晶体生长的改进无效
| 申请号： | 95194738.9 | 申请日： | 1995-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1047810C | 公开（公告）日： | 1999-12-29 |
| 发明（设计）人： | J·A·贝斯威克 | 申请（专利权）人： | 英国国防部 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 巍金玺,罗才希 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由多组分熔体的晶体均匀生长的改进，包括具有注入器的双坩埚组合件，该注入器能改进熔体由外坩锅向内坩锅的流动；所述改进还包括在外坩锅的外面且能降低粘附可能性的内坩锅定位的导棒；晶体生长结束后拉出内坩锅的装置以及在晶体生长之前去除设备中封闭气体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 改进 | ||
【主权项】：
1.供晶体生长用设备包括：供容纳供料用的熔融物料7的第一(外部)坩埚2；第二(内部)坩埚3具有使熔融物料7从第一坩埚2进入其中的装置；加热第一坩埚2内含物的装置5，6；从第二坩埚3中的熔体8提拉生长晶体14的装置10；其特征在于使熔融物料进入第二坩埚的装置包括一注入器15，该注入器是由比用于构成第二坩埚3材料导热率高的材料制成的，并且其构型能提供与第一坩埚中的熔融物料7较高的热接触而与第二坩埚的物料8较低的热接触。
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