[发明专利]通过改变衬底形貌在衬底上形成平面化表面无效
| 申请号： | 95197102.6 | 申请日： | 1995-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1171166A | 公开（公告）日： | 1998-01-21 |
| 发明（设计）人： | P·K·穆恩;A·G·萨伦杰;T·L·迪塔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/76;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体衬底(30)的沟槽隔离区(33)上形成基本平面化表面的方法。潜在有源区(42)形成在所述沟槽隔离区(33)内。之后在半导体衬底(33)表面上淀积介质层(38)。然后抛光介质层(38)形成平面化的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 改变 衬底 形貌 形成 平面化 表面 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件内半导体衬底的沟槽隔离区上形成基本平面化表面的方法，所述方法包括以下步骤：a)在所述沟槽隔离区内形成潜在有源区；b)在所述半导体衬底上形成介质层；并且c)抛光所述介质材料，形成所述基本平面化的表面。
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