[发明专利]高纯度硅的制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种能廉价地制造太阳能电池级的高纯度硅的方法，以及廉价地供给太阳能电池用硅。(a)把粗制硅与硅酸钙在1544℃以上的温度下熔融混合，使硅中的硼迁移到熔渣中；(b)在惰性气体气氛中静置工序(a)所得的混合液，使下层的熔渣层与上层的熔融硅层分离，然后把温度设定到1410℃～1544℃之间，使熔渣凝固的同时把硅保持在熔融状态；(c)在惰性气体气氛下，把冷却体2浸渍到工序(b)所得的熔融硅中，使高纯化的硅在冷却体外表面结晶析出粘附，然后从熔融硅中拉制该冷却体2并把结晶的高纯度硅块S从冷却体2拆下；(d)再熔融工序(c)所得的高纯度硅，然后真空处理熔融硅从而蒸发脱除高纯度硅中的磷。$#!

主权项

1、一种硅的精制方法，包括：(a)把粗制硅与硅酸钙在硅酸钙熔点以上的温度下熔融混合，使硅中的硼迁移到硅酸钙熔渣中的脱硼处理工序；(b)在惰性气体气氛中静置工序(a)所得的混合液，使下层的硅酸钙熔渣层与上层的熔融硅层分离，然后把温度设定到粗制硅的熔点～硅酸钙的熔点之间，使硅酸钙熔渣凝固的同时把硅保持在熔融状态的分离工序；(c)在惰性气体气氛下，把冷却体浸渍到工序(b)所得的熔融硅中，使高纯化的硅在冷却体外表面结晶析出粘附，然后从熔融硅中拉制该冷却体并把结晶的硅块从冷却体拆下的硅结晶析出工序；(d)再熔融工序(c)所得的硅，然后真空处理熔融硅从而蒸发脱除熔融硅中的磷的脱磷处理工序。