[发明专利]用于单掩膜C4焊料凸点制造的方法无效
| 申请号： | 95198002.5 | 申请日： | 1995-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1205114A | 公开（公告）日： | 1999-01-13 |
| 发明（设计）人： | D·E·克拉夫茨;V·慕拉利;C·S·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,谭明胜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在存在Pb/Sn焊料凸点(17)下从晶片(10)表面上去除球形限制冶金(BLM)层(14,15)的方法。在一个实施方案中,该BLM层包括钛层(14)和铜层(15)两层。在Pb/Sn焊料凸点(17)形成在晶片(10)的电接触垫(12)上后,用H2SO4+H2O2+H2O溶液蚀刻BLM铜层(15)。在去除铜层(15)的同时,该H2SO4+H2O2+H2O蚀刻剂也与Pb/Sn焊料凸点(17)反应在凸点(17)表面上形成薄Pb0保护层(18)。当铜层(15)被蚀刻掉后,用CH3COOH+NH4F+H2O溶液蚀刻钛层(14)。当暴露于CH3COOH+NH4F+H2O蚀刻剂时,形成在Pb/Sn焊料凸点(17)上的PbO层(18)保持不溶解,由此防止焊料凸点(17)在存在CH3COOH+NH4F+H2O蚀刻剂时被蚀刻。当钛被完全蚀刻后,通过暴露在HCl+NH2CSNH2+NH4Cl+H2O溶液中,将PbO层(18)从Pb/Sn焊料凸点(17)表面上去除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 单掩膜 c4 焊料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在存在Pb／Sn焊料凸点下从晶片表面去除金属层的方法，该方法包括如下步骤：(a)通过将所述晶片暴露于第一蚀刻剂中而从所述晶片的所述表面上去除第一金属层，其中从所述晶片的表面上去除了第一金属层，并且其中在所述Pb／Sn焊料凸点上形成一保护层；(b)通过将所述晶片暴露于第二蚀刻剂中而从所述晶片的所述表面上去除第二金属层，其中在所述晶片的表面上去除了第二金属层，并且其中在暴露于所述第二蚀刻剂之后，至少部分的所述保护层保留在所述Pb／Sn焊料凸点表面上；(c)通过将所述晶片暴露于第三蚀刻剂中而从所述Pb／Sn焊料凸点表面上去除所述的保护层，其中所述的保护层被从所述Pb／Sn凸点上去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
