[实用新型]硅集成多触点真空度开关无效
| 申请号： | 95239085.X | 申请日： | 1995-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN2230922Y | 公开（公告）日： | 1996-07-10 |
| 发明（设计）人： | 茅盘松 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02;G01L9/12;H01L49/00 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,叶连生 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅集成多触点真空度开关是一种用于低真空系统中分段自动控制真空度的半导体传感器，采用表面有重掺杂的硅材料为衬底，多晶硅薄膜与衬底之间采用亚真空系统中沉积的SiO2层真空封接构成真空参考腔，腔间距由沉积SiO2层厚度控制，多晶硅薄膜上有重掺杂构成的多个触点，具有多晶硅薄膜和腔间距控制精确、结构简单、工艺方便、体积小、成本低和测试线路简单等优点，不需要进行双面光刻对准和玻璃与硅的键合，有利于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 触点 真空 开关 | ||
【主权项】：
1、一种用于低真空系统中分段自动控制真空度的硅集成多触点真空度开关，由衬底、硅膜和真空参考腔构成，其特征在于衬底采用硅材料，其表面有重掺杂层，硅膜为多晶硅薄膜；多晶硅薄膜上有重掺杂构成的多个触点，真空参考腔采取在亚真空系统中沉积的SiO2层真空封接。
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