[发明专利]读出放大器电路和半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 96100422.3 申请日: 1996-01-11
公开(公告)号: CN1045502C 公开(公告)日: 1999-10-06
发明(设计)人: 筑出正树;有本和民 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;G11C11/409;G11C11/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 冯赓宣
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在读出操作启动之前,将n沟道读出放大器晶体管(224c,224d)的背栅极电位设置到大于操作电源电位和地电位之间的中间电位的背栅极预充电电位,然后在读出操作期间,背栅极电位随着n型公共源极节点电位(CSN)的下降而下降。n型公共源极节点(221b)预充电到该中间电位。设置背栅极预充电电位,使其不大于中间电位加上一个pn结扩散电位之和的电位,从而抑制了自每个读出放大器晶体管的背栅极至源极或漏极的漏电流。
搜索关键词: 读出 放大器 电路 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种读出放大器电路,用于差分放大第一位线(172a)和与所说第一位线配对的第二位线(172b)上的电位,所说第一和第二位线在一个中间电位上预充电,中间电位在一个第一电源电位和一个与所说第一电源电位不同的第二电源电位之间,其特征在于,所说读出放大器包括:一个第一读出允许晶体管(223a,223b),它耦合在接收所说第一电源电位的一个第一电源节点(221a,221b)和预充电到所说中间电位的一个第一节点(222a,222b)之间,并且响应变为有效的第一读出放大器允许信号(/SEPr;SENr),电耦合所说第一电源节点和所说第一节点;一个第一读出晶体管(224a;224c),它连接在所说第一节点和所说第一位线之间,并且具有耦合到所说第二位线的一个栅极(224ac;224cc;224ah;224ch),并且具有接收第一背栅极电位(VBP;VBN)的一个背栅极(303a;303c;224af;224cf),第一背栅极电位(VBP;VBN)在所说第一读出放大器允许信号激励之前预充电到第一预充电电位(VPRP;VPRN)并且在所说第一读出放大器允许信号激励期间随所说第一节点上的电位而变化,在所说第一预充电电位和所说第一电源电位之间的差的绝对值大于所说中间电位和所说第一电源电位之间的差;以及一个第二读出晶体管(224b;224d),它连接在所说第一节点和所说第二位线之间,并且具有耦合到所说第一位线的一个栅极(224bc;224dc;224bh;224dh)和接收所说第一背栅极电位的一个背栅极(304a;303a;224bf;224df)。
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