[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 96100436.3 | 申请日： | 1996-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1084516C | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 竹中博幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C8/00 | 分类号： | G11C8/00;G11C11/407 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储器备有将多个存储单元阵列和读出放大器阵列分别交替配置且将多个读出放大器驱动电路配置在该读出放大器阵列端部构成的磁心存储块CB、沿该磁心存储块的长边及短边呈L形配置的电源电路40、以及呈网格状配置在磁心存储块上方且与电源电路和多个读出放大器驱动电路连接的电源配线群PSLC、PSLR。采用本发明能提供一种不增大芯片面积就能向读出放大器驱动电路等需要电力的部位供给充分电力的半导体存储器。$#! | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，备有磁心存储块(CB)、电源电路(40)及电源配线群(PSLC、PSLR)，其特征在于：上述磁心存储块是这样构成的，即将存储单元阵列按行列形式配置成存储单元矩阵，将读出放大器按列形式配置成读出放大器阵列，且将多个存储单元阵列和读出放大器阵列分别交替配置，将分别对应于该读出放大器阵列的多个第1读出放大器驱动电路分别配置在读出放大器阵列的端部；上述电源电路沿该磁心存储块的第1长边及第1短边配置成L形状，向上述多个第1读出放大器驱动电路供电；上述电源配线群在上述磁心存储块上方配置成网格状，与上述电源电路和上述多个读出放大器驱动电路连接。
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