[发明专利]表面声波谐振腔滤波器无效

专利信息
申请号: 96101976.X 申请日: 1996-03-22
公开(公告)号: CN1075287C 公开(公告)日: 2001-11-21
发明(设计)人: 下江一伸;平石明 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/25
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种表面声波谐振腔滤波器,包括多个IDT,彼此紧挨地在36°Y截面X向传播式LiTaO#-[3]基片上设置;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧,IDT和反射器的各电极由或主要由铝构成的铝合金制成;SiO#-[2]薄膜形成得将IDT和反射器都覆盖住。电极厚度比H/λ和SiO#-[2]薄膜厚度比H/λ设定在2.6%≤T/λ≤4.8%,22%≤H/λ≤38%的范围内,其中T表示所述IDT各电极的厚度,H表示所述SiO#-[2]薄膜的厚度,λ表示表面声波的波长。$#!
搜索关键词: 表面 声波 谐振腔 滤波器
【主权项】:
1.一种表面声波谐振腔滤波器,其特征在于,它包括:一种36°Y截面X向传播的LiTaO3基片;多个IDT,设置在所述LiTaO3基片上;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧;和SiO2薄膜,设置得使其覆盖住所述IDT和所述反射器;其中电极厚度比T/λ和SiO2薄膜厚度比H/λ取得满足以下不等式的条件:2.6%≤T/λ≤4.8%22%≤H/λ≤38%其中T表示所述IDT和反射器的各电极的厚度,H表示所述SiO2薄膜的厚度,λ表示在所述基片上产生的表面声波的波长,其长度为反射器电极间距的两倍。
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