[发明专利]半导体激光二极管及其制造方法

摘要

本发明的目的是制得一种发射从紫外到绿色光这一范围的短波长光的高性能的半导体激光二极管和提供其制造方法。其构成是先在蓝宝石基板1上边形成n型GaN接触层5，然后在此n型GaN接触层5上边形成把n型AlGaN层7、非掺杂GaN活性层8、p型AlGaN包层9、p型GaN接触层10、p型半导体反射镜11迭层起来的外延层。这样一来，蓝宝石基板1的背面和n型接触层5的面连续地构成为几乎同一平面，并在此同一平面上形成与n型接触层5连接的电极。

主权项

1，一种半导体激光二极管，其特征是：它包括有孔的绝缘性基板、在上述基板的上述孔内将其设置为在该基板的主面一侧有露出面的由第1导电型半导体构成的第1接触层、以由第1导电型半导体构成的第1包层、活性层、由第2导电型半电体构成的第2包层、由第2导电型半导体构成的第2接触层的顺序进行迭层而构成、且形成为使上述第1包层与上术第1接触层进行接合的半导体层、其中在上述第1接触层上设置有使上述第1包层在上述基板的主面一侧露出来的开口部分，在上述开口中在第1包层的表面上形成的第1反射镜、在上述半导体层的第2接触层上形成为使之与该节1反射镜相对的第2反射镜、在上述基板的主面上形成为使之与上述第1接触层的露出面连接的电极。