[发明专利]互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

摘要

一种利用离子注入及厚侧壁隔离层制程的互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其步骤如下制造硅衬底，进行离子注入，形成轻掺杂漏极；形成侧壁隔离层；应用第一光掩模形成Ｎ型离子注入区；应用第二光掩模形成Ｐ型离子注入区；在场氧化层和晶体管上淀积绝缘层；应用第三光掩模形成氧化层与栅极间的接触窗；本方法可有效地解决当元件尺寸缩小时所产生的穿透效应，可减少使用光掩模的次数并可保证质量。

主权项

1、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其在-P型衬底上，形成N沟道场效应晶体管和P沟道场效应晶体管，其步骤如下：(a)提供一硅衬底，其上至少已形成P型势阱、N型势阱、数个栅极和栅极氧化层；(b)以数个栅极为光掩模，对于硅衬底全面性进行N-离子注入，以形成第一N-型离子轻掺杂漏极注入区，第一N-型离子的注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为20度至70度；(c)形成侧壁隔离层；(d)应用第一光掩模，遮住欲形成所述P沟道场效应晶体管的区域，进行第一N+型离子注入，以形成第一N+型离子注入区，第一N+型离子的注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为20度至70度，不去除光掩模，然后再进行第二N+型离子注入，以形成第二N+型离子注入区，离子注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为0度至7度；(e)应用第二光掩模，遮住欲形成N沟道场效应晶体管区域，进行P-型离子注入，以形成P-型离子注入区，离子注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为20度至70度之间，不去除光掩模，然后再进行第一P+型离子注入，以形成第一P+型离子注入区，第一P+型离子的注入方向与垂直所述硅衬底方向间的角度为0度至7度；(f)在场氧化层和晶体管元件上，淀积绝缘层；(g)应用第三光掩模，以传统光掩模蚀刻方法蚀刻掉场氧化层与栅极中间的绝缘层，露出部分第二N+型离子注入区及部分第一P+型离子注入区，形成接触窗。