[发明专利]半导体混成传感器和差压发送器无效
| 申请号： | 96102588.3 | 申请日： | 1996-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1090823C | 公开（公告）日： | 2002-09-11 |
| 发明（设计）人： | 村上进;嶋田智;鹈饲征一;高桥幸夫;清水修一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01L9/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种采用多个串联连接的半导体压阻规元件的半导体混成传感器。压阻元件相分隔，从而使具有相同阻值的电阻元件的高电势端和其他电阻元件的衬底保持相同的电势。各个用作电阻元件的半导体区域与衬底之间的电势差相等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 混成 传感器 发送 | ||
【主权项】：
1.一种半导体混成传感器，其特征在于包括：至少两个检测区域，每个检测区域包括：具有第一p型半导体区域和形成于所述第一p型半导体区域上的第一n型半导体区域的传感器衬底；具有形成于所述第一n型半导体区域一部分内的第二p型半导体区域并且电阻值随所施加压力而变化的压阻元件；包围所述压阻元件以延伸通过所述第一n型半导体区域并且与所述第一p型半导体区域相连的分隔装置；所述检测区域内的压阻元件串联连接；并且每个压阻元件具有适于与较高电势相连的第一电极和适于与较低电势相连的第二电极，所述第一电极还与相连检测区域内的所述第一n型半导体区域连接。
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