[发明专利]半导体基板的表面处理液、用该液的表面处理方法和装置无效
| 申请号： | 96102745.2 | 申请日： | 1996-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1076121C | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 深泽雄二;宫崎邦浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可抑制基板表面的不平坦度，无处理液的金属逆污染，去除粒子和金属杂质性能优良且在常温下进行的半导体基板表面处理液、表面处理方法和表面处理装置。其特征是应用含有浓度为０．０１到１％的ＨＦ水溶液与浓度为０．１ppm到２０ppm的臭氧水的混合液进行半导体基板表面处理。该混合液无金属逆污染，可除去Cu等重金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板的表面处理液，由含有HF水溶液和臭氧水的混合液组成，其特征是所述HF水溶液的浓度为0.01％到1％和所述臭氧水的浓度为0.1ppm到20ppm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
