[发明专利]真空断续器的接触电极无效
| 申请号： | 96103079.8 | 申请日： | 1996-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1065068C | 公开（公告）日： | 2001-04-25 |
| 发明（设计）人： | 奥冨功;関经世;山本敦史 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H01H33/66 | 分类号： | H01H33/66;H01H1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种真空断续器的接触电极，包括导电成分和耐弧成分，该导电成分具有从包括铜和银在内的一组成分中所选择的至少一种成分，该耐弧成分的熔化温度高于１５００℃。接触电极中，位于接触电极表面上之接触电极的组分量梯度Ａ／Ｘ为０．２—１２体积％／ｍｍ。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 断续 接触 电极 | ||
【主权项】：
1．一种真空断续器用接触电极，其特征在于包括：由包括铜和银在内的一组成份中所选出的至少一种成份所组成的导电成份；以及熔化温度大于1500℃的耐弧成份；所述接触电极表面上之接触电极的组分量梯度A／X为0．2-12体积％／mm；其中，X1为所述接触电极之表面上任何半径线R1上的一点；X2为所述接触电极之表面上任何半径线R1上的另一点；X为以毫米计量的所述一点X1与所述另一点X2之间的间隙，其中X=X2-X1，且X2＞X1≥0；A1为所述一点X1处以体积％计量的所述接触电极内所述组分的量；A2为所述另一点X2处以体积％计量的所述接触电极内所述组分的量；以及A为以体积％计量的所述组分的量A1与A2之差。
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