[发明专利]形成半导体器件金属互连的方法无效
| 申请号： | 96104048.3 | 申请日： | 1996-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1057868C | 公开（公告）日： | 2000-10-25 |
| 发明（设计）人： | 赵景洙 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种能提高成品率和可靠性的半导体器件的金属互连的方法，包括于先形成有源区再形成绝缘层的半导体衬底的预定部位处形成接触孔；用化学汽相淀积法在接触孔和绝缘层上依次淀积具有预定厚度的钛和氮化钛层；在Ｎ2气氛中进行热退火。最后在扩散阻挡层上淀积低电阻率的互连金属，并在接触孔和绝缘层上形成各层的图形，由此形成有源区间的金属互连。另外，本发明还可包括在对所形成的各层构图之前淀积弧形薄膜的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 金属 互连 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成半导体器件金属互连的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在形成了绝缘层的半导体衬底的预定部位处，形成接触孔；在所说绝缘层和所说接触孔上用化学汽相淀积法依次淀积钛层和氮化钛层，这两层都具备预先确定的厚度；在氮气氛中热退火所说衬底，其中所说氮化钛层发生相转换，形成多层氮化钛层，每层含氮量各不同，并且相态也各不相同；在氮化钛层上淀积低电阻率的金属层；和对在接触孔和绝缘层上形成的各层进行构图。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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