[发明专利]半导体器件

摘要

在Ｐ－型半导体衬底上设置一输入端和连到输入端上的Ｎ－型扩散层的输入保护电阻。用于内部电路的第１和第２Ｎ型ＭＯＳ晶体管，在各自的源扩散层上与地线相连。第１ＭＯＳ晶体管比第２ＭＯＳ晶体管离输入保护电阻器的距离较近。通过高熔点金属布线，例如硅化钨等等，连接第１ＭＯＳ晶体管的源扩散层和地线，以便增加电阻改善静电击穿电位。因此，可能使输入保护电阻和第１ＭＯＳ晶体管之间的距离较短，以便在输入保护电阻器周围消除无用区和减少芯片面积。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一个第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底的一主表面上形成的第一和第二端，所述第一端是信号输入端，所述第二端是电源端和接地端之一；分别连接到所述第一和第二端的第一和第二布线层；在所述半导体衬底的一主表面上选择形成的并且连接到所述第一布线层上的第二导电类型的第一扩散层；一个位于所述半导体衬底的第一场效应晶体管，它相对所述第一扩散层有一预定距离，并且有漏或源扩散层与所述第二布线相连接；一个位于所述半导体衬底中的第二场效应晶体管，它相对于所述第一扩散层有一个大于所述预定距离的距离，有与所述第二布线相连接的漏或源扩散层；一个连接布线，用于在所述第二布线层和所述第一场效应晶体管中的所述源和漏扩散层之间连接，在那里所述连接布线有一个高于第二连接布线的阻抗的阻抗，第二连接布线用于在所述第二布线和所述第二场效应晶体管中的所述源或漏扩散层之间连接。