[发明专利]用于清洗半导体晶片的装置和方法无效
申请号: | 96105115.9 | 申请日: | 1996-04-18 |
公开(公告)号: | CN1139292A | 公开(公告)日: | 1997-01-01 |
发明(设计)人: | 亨利·F·厄克;罗纳德·D·巴特姆;尤金·R·霍兰德;柴京 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张祖昌 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一个清洗半导体晶片的方法包括将液体放置在槽内并且在液体表面形成一个气—液界面。半导体晶片被放置在槽中以便于它沿通常竖直位置被定向,而且晶片至少有一部分处于液体中并低于气—液界面。声能被引导穿过液体。至少半导体晶片的位置和槽中液体相对于半导体水位这两者之一被变动以使得晶片的整个表面重复穿过气—液界面。 | ||
搜索关键词: | 用于 清洗 半导体 晶片 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于清洗半导体晶片的方法包括:将液体放置在一个槽中,在液体的表面限定一个气—液界面;将半导体晶片放置在槽中,使它基本上竖立定向,而且晶片至少有一部分处于液体中并在气—液界面以下;引导声能穿过液体;至少下述步骤之一发生改变:(a)半导体晶片的位置,(b)槽中液体相对于半导体晶片的水位,以便晶片的整个表面穿过气—液界面;重复前述步骤许多次。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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