[发明专利]垂直腔表面发射激光器件及采用这种器件的光拾取装置无效

专利信息
申请号: 96105467.0 申请日: 1996-04-25
公开(公告)号: CN1063291C 公开(公告)日: 2001-03-14
发明(设计)人: 申铉国 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;G11B7/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 蒋世迅
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一个垂直腔表面发射激光(VCSEL)器件和采用这种器件的光拾取装置。VCSEL器件包括一个半导体衬底;一个光电探测器,它有一个本征缓冲层及第一电极层;和一个光源,它有一个第一分布布喇格反射(DBR)堆、及一个激发层、一个第二分布布喇格反射堆、及一个第二电极层;其中第一电极层上有一个其上没有光源形成的外露表面。光拾取装置包括上述光源和光电探测器,光路变换器件和一个物镜。$#!
搜索关键词: 垂直 表面 发射 激光 器件 采用 这种 拾取 装置
【主权项】:
1.一种垂直腔表面发射激光器件,包括:一个半导体衬底;一个具有形成在所述半导体衬底上的用于接收入射光的本征缓冲层和形成在所述的本征缓冲层上的第一电极层的光电探测器;和一个光源,它具有一个形成在所述的第一电极层上用于反射大部分入射光并且透射其余部分入射光的第一分布布喇格反射(DBR)堆、一个形成在所述的第一布喇格所射堆上用于产生光的激发层、一个形成在所述的激发层上用于反射大部分入射光并且透射其余部分光的第二分布布喇格反射堆,和一个形成在所述的第二布喇格所射堆上带有一个通过它穿过第二布喇格所射堆的光可以被发射出去的腔体的第二电极层,其特征在于,所述的第一电极层具有一个在其上面没有形成光源的外露表面,并且一个用于把所述的第一电极层和外部电源联接起来的引线被形成在上述外露表面上。
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