[发明专利]垂直腔表面发射激光器件及采用这种器件的光拾取装置无效
申请号: | 96105467.0 | 申请日: | 1996-04-25 |
公开(公告)号: | CN1063291C | 公开(公告)日: | 2001-03-14 |
发明(设计)人: | 申铉国 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;G11B7/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一个垂直腔表面发射激光(VCSEL)器件和采用这种器件的光拾取装置。VCSEL器件包括一个半导体衬底;一个光电探测器,它有一个本征缓冲层及第一电极层;和一个光源,它有一个第一分布布喇格反射(DBR)堆、及一个激发层、一个第二分布布喇格反射堆、及一个第二电极层;其中第一电极层上有一个其上没有光源形成的外露表面。光拾取装置包括上述光源和光电探测器,光路变换器件和一个物镜。$#! | ||
搜索关键词: | 垂直 表面 发射 激光 器件 采用 这种 拾取 装置 | ||
【主权项】:
1.一种垂直腔表面发射激光器件,包括:一个半导体衬底;一个具有形成在所述半导体衬底上的用于接收入射光的本征缓冲层和形成在所述的本征缓冲层上的第一电极层的光电探测器;和一个光源,它具有一个形成在所述的第一电极层上用于反射大部分入射光并且透射其余部分入射光的第一分布布喇格反射(DBR)堆、一个形成在所述的第一布喇格所射堆上用于产生光的激发层、一个形成在所述的激发层上用于反射大部分入射光并且透射其余部分光的第二分布布喇格反射堆,和一个形成在所述的第二布喇格所射堆上带有一个通过它穿过第二布喇格所射堆的光可以被发射出去的腔体的第二电极层,其特征在于,所述的第一电极层具有一个在其上面没有形成光源的外露表面,并且一个用于把所述的第一电极层和外部电源联接起来的引线被形成在上述外露表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96105467.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高炉炉衬烧损连续检测方法
- 下一篇:纳米二氧化硅抛光剂及其制备方法