[发明专利]半导体器件隔离方法

摘要

器件隔离方法包括步骤由在非有源区中形成场氧化膜来划定半导体衬底中的有源区和非有源区；在有源区内形成扩散层；在衬底的整个表面上形成与扩散层部分连接的布线层；在布线层上形成覆盖一部分扩散层及与其邻接的场氧化膜的周边部分的光敏薄膜图形；通过用光敏薄膜图形使布线层形成焊接区；通过把第一沟道中止杂质注入到衬底的整个表面来形成内在场氧化膜下面的第一沟道中止杂质层。从而，改进半导体器件的漏电流和恢复特性，避免工艺复杂化。

主权项

1.一种半导体器件隔离方法，包含步骤：用在所述的非有源区中形成场氧化膜的方法定出半导体衬底的有源区和非有源区；在所述的有源区内形成扩散层；在其内形成所述的扩散层的所述半导体衬底的整个表面上形成与所述的扩散层局部连接的布线层；在所述的布线层上形成覆盖一部分所述的扩散层和与所述的扩散层邻接的场氧化膜周边部分的光敏薄膜图形；用所述的光敏薄膜图形将所述的布线层形成图形形成平台焊接区；和用把第一沟道中止杂质注入到在其上形成焊接区的衬底的整个表面的方法，在所述的半导体衬底内在所述的场氧化膜下面形成第一沟道中止杂质层。