[发明专利]制造等离子体寻址显示装置的方法无效
| 申请号： | 96106219.3 | 申请日： | 1996-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1143789A | 公开（公告）日： | 1997-02-26 |
| 发明（设计）人： | 外川刚広 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造等离子体寻址的显示装置的方法，该方法能尽可能地防止液晶层的间隙非均匀性和由于尘粒的侵入而导致的介电层的裂缝的产生。其中，构成等离子体单元3的等离子体基片玻璃31和介电层4通过一组平行安置的隔离壁5彼此相对，隔离壁5的一部分构成在介电层4上，另一部分构成在等离子体基片玻璃31上，通过将隔离壁5的各部分彼此合并而形成整体的隔离壁6。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 等离子体 寻址 显示装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造等离子体寻址显示装置的方法，包括下列步骤：在一个第一基片上彼此平行地构成多个第一电极；在介电层的内表面上彼此平行地构成多个阻挡肋；在一个第二基片上安置在与所述第一电极相垂直的方向延伸的多个第二电极，该第二基片与所述第二电极安置在一起，该第二电极朝向所述介电层的一个外表面；将所述第一电极和所述阻挡肋连接而构成等离子体单元；在所述等离子体单元提供可电离气体；在所述介电层和所述第二基片之间安置电光层。
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