[发明专利]在一个公共基片上装配集成电路的方法无效
| 申请号： | 96106682.2 | 申请日： | 1996-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1059290C | 公开（公告）日： | 2000-12-06 |
| 发明（设计）人： | 约翰·斯蒂芬·史密斯;Ｈ－Ｊ·Ｊ·叶 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过流体输送在一个公共基片上装配集成电路的方法。在这种方法中，基片包含一个至少在其上带有一个凹槽区的上表面，所述方法包含下列步骤在流体内提供多个定形块，以形成浆体；使所述浆体在所述基片上以至少有一个所述定形块以选定的取向定位置入于所述凹槽区内的速度在所述基片上循环，每个所述的定形块具有梯形剖面的外形，以所述选定的取向匹配于所述凹槽区内。 | ||
| 搜索关键词： | 一个 公共 基片上 装配 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一个公共基片上装配集成电路的方法，所述基片包含一个至少在其上带有一个凹槽区的上表面，所述方法包含下列步骤：在流体内提供多个定形块，以形成浆体；使所述浆体在所述基片上以至少有一个所述定形块以选定的取向定位置入于所述凹槽区内的速度在所述基片上循环；其特征在于，每个所述的定形块具有梯形剖面的外形，以所述选定的取向匹配于所述凹槽区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
