[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 96107139.7 | 申请日： | 1996-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1082719C | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 长野能久;藤井英治;那须徹;松田明浩 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面沉积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使其表面保持平整来沉积蚀刻速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成电容绝缘膜。$#! | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内含以电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，其特征在于，形成第一电介质膜后，在所述第一电介质膜上面沉积厚度超过该第一电介质膜表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，然后在所述第二电介质膜上面使其表面保持平整来沉积蚀刻速度与该第二电介质膜蚀刻速度相同的薄膜，同时蚀刻除去所述薄膜全部与所述第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成所述电容绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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