[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备无效
| 申请号： | 96107253.9 | 申请日： | 1996-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1154571A | 公开（公告）日： | 1997-07-16 |
| 发明（设计）人： | 高木干夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社F.T.L |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用热壁型加热炉对大直径半导体晶片的快速热处理中，将储热板(10)预热到热处理温度，然后使晶片8位于一对储热板(10)之间，或处于紧靠储热板(10)的附近处，可使晶片表面的温度分布均匀。晶片(8)可以与储热板(10)接触。因此由来自储热板(10)的辐射热或传导热加热晶片(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其中在热壁型加热炉中，放置和加热单片晶片或多片晶片，其特征是，将多个相对放置的储热板(10)预热到热处理温度，随后，将一片或相对的两片晶片(8)放入相对的储热板(10)之间，以单片晶片或多片晶片的整个表面基本上对着储热板的至少一部分的方式，使单片或多片晶片在所述热处理温度下迅速加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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