[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 96107491.4 | 申请日： | 1996-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN1083158C | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 权五成;金辰泰 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有多晶硅膜的半导体器件的制造方法，该方法能够除去自然氧化膜和沾污物，并且，利用硅离子注入和退火形成大的晶粒。本发明还公开了一种方法，其中在CF4等离子清洁处理后，除去自然氧化膜和沾污物，并且防止该自然氧化膜再生长。接着把硅衬底装入要通惰性气体的非晶硅膜淀积管中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜；使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底，由此，形成接触孔；接着，进行湿式清洁处理和等离子处理，以便除去所说露出的硅衬底上的自然氧化层和沾污物；形成非晶硅膜；把硅离子注入到所说的非晶硅膜；热处理所说非晶硅膜，以便形成多晶硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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