[发明专利]电子发射器件及制法,具有该器件的电子源及成象装置无效
申请号: | 96107769.7 | 申请日: | 1996-05-30 |
公开(公告)号: | CN1090379C | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
发明(设计)人: | 岸文夫;长田芳幸;河出一佐哲;塚本健夫;吉田茂树;日下贵生 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J1/316 | 分类号: | H01J1/316;H01J31/12;H01J9/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种电子发射器件,包括一对彼此相对设置的器件电极,和一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜,以及在导电薄膜的一部分中形成的电子发射区。导电薄膜由包括第一金属元素作为主要成分元素以及至少一种第二金属元素的细微粒构成。所述第二金属元素沉淀在导电薄膜的表面上,从而形成低功函数层。当在一对器件电极之间加上电压时,第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分移动。 | ||
搜索关键词: | 电子 发射 器件 制法 具有 成象 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子发射器件,包括一对相互对置设置的器件电极,和所述一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜,以及在所述导电薄膜的一部分中形成的电子发射区,其特征在于:在所述导电薄膜上形成有一低功函数材料层,其功函数低于所述导电薄膜;所述导电薄膜由包含作为主要组成元素的第一金属元素和至少一种第二金属元素的细微粒构成;其中所述第二金属元素形成低功函数材料层;以及当在所述一对电极之间施加电压时,所述第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分运动。
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