[发明专利]全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 96107992.4 | 申请日： | 1996-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1074168C | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 戴超智;钟宇鹏;蔡辉正 | 申请（专利权）人： | 智威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/316;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有Ｐ－Ｎ结全切面钝化玻璃护封的硅半导体二极管芯片，使用钝化玻璃护封层，覆着于芯片的整个Ｐ－Ｎ结切面，且对每一芯片制备一单独的玻璃护封层体，单独烧结。这种具有Ｐ－Ｎ结全切面护封的硅半导体二极管芯片，其Ｐ－Ｎ结全切面全部为钝化玻璃所护封，因而容易获得良好的正向及逆向电气特性、较高的可靠性以及有利于再次加工成形。本发明也提供了一种大量生产具有Ｐ－Ｎ结全切面钝化玻璃护封的硅半导体二极管芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 切面 玻璃 钝化 半导体 二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体二极管芯片组件，包括：一硅半导体二极管芯片；及一钝化玻璃护封件；其特征在于：该钝化玻璃护封件由玻璃粉调制的调剂烧结而成；该半导体二极管芯片的周缘是自N电极面至P电极面，含P-N结层面，为完全切断状态；且该钝化玻璃护封件覆盖于该半导体二极管芯片周缘的全部。
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