[发明专利]阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 96108193.7 | 申请日： | 1996-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1141509A | 公开（公告）日： | 1997-01-29 |
| 发明（设计）人： | 韦达·伊尔德勒姆;米切尔·H·卡内施洛;迪安·道 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陆立英 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 低电压场效应晶体管结构(20)其阈值电压容许源注入区(41)的位置发生改变的工艺变化。源区(41)附近形成第一和第二晕圈区(33、36)，在后续热处理之后在邻近源区(41)的沟道区(23)形成导电类型与源区(41)相反的恒定掺杂分布轮廓。实施例只在源区(41)附近形成得到单向器件也可在源区(41)和漏区(40)附近形成掺杂分布轮廓以得到双向器件。另一实施例在源区(41)形成第二注入区以减小结漏和电容。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 稳定 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征是：一个第一导电类型半导体材料并带有一个表面(22)的衬底区(21)；一个形成在衬底区(21)中并邻接于沟道区(39)的第二导电类型的源区(29)；一个排列在衬底区(21)中的第一注入区(33)，使第一注入区(33)在表面(22)处与源区(29)连接，且在衬底区(21)的表面(22)之下伸入沟道区(39)，此第一注入区(33)具有第一导电类型的第一浓度；以及一个排列在源区(29)和第一注入区(33)之间的、在表面(22)处伸过第一注入区(33)且进入沟道区(39)的第二注入区(36)，其中的第一注入区(33)和第二注入区(36)在与源区(29)的交点处形成一个恒定掺杂分布轮廓区，第二注入区(36)具有第一导电类型的第二浓度。
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