[发明专利]用于形成钨布线的方法无效
| 申请号： | 96108220.8 | 申请日： | 1996-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1074856C | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 黄成辅 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成钨布线的方法，在将形成金属布线处形成刻蚀阻挡层用作掩模，以减少对钨结层的厚度限制。该方法包括在半导体衬底上形成钨结层和钨膜；使用金属布线掩模形成负型光致抗蚀剂膜的图形；在钨膜上选择性地形成铜薄膜并使它在氯基气氛中生长，从而形成氯化铜薄膜；除去光致抗蚀剂膜图形；用氯化铜薄膜作掩模连续地刻蚀钨膜和钨结层；除去氯化铜薄膜，以形成钨布线。本发明提供足够的工艺余量，从而实现提高半导体器件的可靠性和集成度。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 布线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成钨布线的方法，其特征在于包括以下步骤：在半导体衬底上形成钨结层；在钨结层上形成钨膜；形成适当的光致抗蚀剂膜图形，以暴露钨膜上相应于将形成金属布线的部分；固化光致抗蚀剂膜图形；在钨膜暴露的部分上选择性地形成铜薄膜；利用氯基等离子体对铜薄膜进行处理，从而形成氯化铜薄膜；除去光致抗蚀剂膜图形；把氯化铜薄膜作为掩模对钨膜和钨结层进行刻蚀；除去氯化铜薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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