[发明专利]磁阻效应型磁头的制造方法及所用晶片无效
| 申请号： | 96108377.8 | 申请日： | 1996-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1146588A | 公开（公告）日： | 1997-04-02 |
| 发明（设计）人： | 加藤笃;森尻诚;矶野千博;高仓昭雄;小柳広明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马江立 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻效应型磁头的制造方法，在晶片上将磁阻效应元件和与其MR高度不同的其它磁阻效应元件配置成1列朝向同一方向形成元件列，切断该元件列形成滑条，通过将其研磨而研磨磁阻效应元件的露出面，形成所希望高度的MR高度，此时，测定该磁阻效应元件的电阻值及该其它磁阻效应元件的电阻值，根据由这些电阻值确定的上述MR高度为MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度作为MR传感器高度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 磁头 制造 方法 所用 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种晶片，其特征在于：该晶片配置有磁阻效应元件和至少1个其它磁阻效应元件，该至少一个其它磁阻效应元件在形成于晶片上的磁阻效应元件的再生磁道宽度方向的垂直方向的磁阻效应传感器膜的尺寸为MR高度时，具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同的MR高度。
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