[发明专利]沉淀二氧化硅、其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 96109937.2 申请日: 1996-07-22
公开(公告)号: CN1052959C 公开(公告)日: 2000-05-31
发明(设计)人: G·特克;G·施米特;M·西雷;K·迈耶 申请(专利权)人: 底古萨股份公司
主分类号: C01B33/143 分类号: C01B33/143
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 徐汝巽
地址: 联邦德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 具有下列物化特性的沉淀二氧化硅$BET表面DIN66131__100—130m2/g$DBP吸收DIN53601__≥275g/100g$(无水)ASTMD2414$干燥损失DINISO787/Ⅱ$(2h/105℃)ASTMD280__3,5—5.5wt%$JISK5101/21$筛上料$(用ALPINE空气喷雾筛)$>63μm__≤10.0wt%$>150μm__≤0.1wt%$>250μm__≤0.01wt%$>含氯量__≤100ppm$其制备方法为将水加入沉淀器中,加入水玻璃至碱值达到5—15,然后进一步同时加入水玻璃和硫酸,在搅拌下用硫酸中断沉淀二氧化硅悬浮液至pH值为8.5,然后继续用浓硫酸酸化至pH值为4,接着分离和洗涤沉淀二氧化硅(悬浮液中具有的固含量约为88g/l),液化得到的滤饼,用喷雾干燥器干燥之并研磨之。$该沉淀二氧化硅可用于生产蓄电池隔板。
搜索关键词: 沉淀 二氧化硅 制备 方法 用途
【主权项】:
1.沉淀二氧化硅,其物化特性为:BET表面:100-130m2/gDBP吸收≥275g/100g无水干燥损失2h/105℃3.5-5.5wt%用ALPINE空气喷雾筛过筛的筛上料:>63μm≤10.0wt%>150μm≤0.1wt%>250μm≤0.01wt%。
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