[发明专利]制造半导体器件中的场氧化层的方法无效
| 申请号： | 96110232.2 | 申请日： | 1996-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1075666C | 公开（公告）日： | 2001-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金荣福;周文植 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/324;H01L21/762 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体器件中的场氧化层的方法，包括如下步骤提供一个硅衬底；在所述硅衬底上形成一层氧化层；以及通过在含氮气体气氛中对所述硅衬底进行热处理，将氮注入所述氧化层，以防止氧沿着所述硅衬底和所述氧化层之间的界面扩散。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 中的 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件中的场氧化层的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供一个硅衬底；在所述硅衬底上形成一层氧化层；通过在含氮气体气氛中对所述硅衬底进行热处理，将氮注入所述氧化层，以防止氧沿着所述硅衬底和所述氧化层之间的界面扩散；暴露所述硅衬底的一场区域；以及对所述暴露的硅衬底的场区域进行热氧化处理，以形成场氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96110232.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：吸烟抑制剂及其使用方法
- 下一篇：聚醚多元醇的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
