[发明专利]自旋阀磁致电阻传感器以及使用此传感器的磁记录系统

摘要

自旋阀磁致电阻（ＳＶＭＲ）传感器用与改进的反铁磁性（ＡＦ）交换偏磁层组合的叠层反平行（ＡＰ）钉扎层，其中包括由非磁性耦合膜隔开的两层铁磁膜，其磁化以反平行取向反铁磁地强耦合起来。在旋转ＳＶＭＲ传感器的自由层所需的弱场内此叠层ＡＰ钉扎层是磁刚性的，其中两铁磁层磁矩接近相同时，钉扎层净磁矩较小。交换场较大，因其反比于净磁矩。叠层ＡＰ钉扎层的磁化被ＡＦ材料固定或钉扎，后者耐蚀性强但交换各向异性过小而不能用于传统ＳＶＭＲ传感器。

主权项

1.一种自旋阀磁致电阻传感器，包括：基片；反铁磁性材料的交换偏磁层，选自氧化镍(Ni1-xCox)O和(Fe-Mn)合金和Cr的集合，其中X是0.0-0.5，交换偏磁层形成在基片上；叠层的反平行钉扎层，与交换偏磁层相邻，叠层的反平行钉扎层包括与交换偏磁层相邻并反铁磁性地耦合的第一铁磁膜、第二铁磁膜和位于第一和第二铁磁膜之间并与其接触的反平行耦合膜，该耦合膜使第一和第二铁磁膜反铁磁性地耦合在一起，以致它们的磁化相互反平行地排列，当外加磁场存在时第一和第二铁磁膜的磁化保持反平行并被交换偏磁层所钉扎；非磁性隔离层，与叠层的反平行层的第二铁磁膜相邻；自由的铁磁性层，与隔离层相邻接触，当不存在外加磁场时其易磁化轴垂直于叠层的反平行钉扎层中的第一和第二铁磁膜的磁化轴。