[发明专利]独石陶瓷电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 96110411.2 | 申请日： | 1996-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1090375C | 公开（公告）日： | 2002-09-04 |
| 发明（设计）人： | 西山俊树;滨地幸生 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;H01G4/008;C04B35/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 胡交宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种独石陶瓷电容器，它由多层包含钛酸锶和氧化铋等的陶瓷材料制成的介质陶瓷层和多个包含镍或镍合金的廉价金属材料制成的内电极构成。使多层介质陶瓷层迭放，内外电极电连接制成电容器。电容器中的每层介质陶瓷层包含还原抑制剂，例如aMO+bMnO2+cB2O3+(100-a-b-c)SiO2。式中M是选自Mg，Sr，Ca和Ba中的至少一种；a，b，c用mol％表示的量值范围是10≤a≤60，5≤b≤20，20≤c≤35。电容器制造中，介质陶瓷层的迭层结构在中性气氛或还原气氛中烧结而不会被还原。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种独石陶瓷电容器，包括多层陶瓷材料制成的介质陶瓷层，该陶瓷材料包含主要成分钛酸锶，次要成分氧化铋或铋化合物的氧化物，和还原抑制剂；多个包含镍或镍合金的廉价金属内电极，其中还原抑制剂的表示通式是aMO+bMnO2+cB2O3+(100-a-b-c)SiO2，式中M是选自Mg，Sr，Ca和Ba的至少一种；a，b和c的数值用mol％表示成10≤a≤60，5≤b≤20，20≤c≤35，以及所述还原抑制剂的量是陶瓷材料重量的4至25wt％。
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