[发明专利]在数据存储元件中读和再存储数据的方法无效
申请号: | 96111414.2 | 申请日: | 1996-08-23 |
公开(公告)号: | CN1157458A | 公开(公告)日: | 1997-08-20 |
发明(设计)人: | 吉德·D·泰 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陆立英 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | FERAM(10)包括FET(11)和铁电电容器(12),该FET的栅极连接到字线(14),源极经铁电电容器(12)连接到板线(15)和漏极连接到比特线(16)。读过程以比特线(17)上放置预定电荷量开始,FET接通后对铁电电容器充电,在比特线上产生由FERAM存储的数据确定的电压降。读出放大器(18)根据从FERAM读的数据调整比特线电压。板线上施加电压关闭FET把数据再存储到FERAM中。 | ||
搜索关键词: | 数据 存储 元件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在数据存储组件(10)中读和恢复数据的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供具有一个开关(11)和一个具有极性保持的电容器(12),其中该开关(11)具有一个控制电极,用于耦合接收控制信号,一个第一电流导通电极,用于经具有极性保持的电容器耦合接收恢复的信号,和一个第二电流导通电极,用于耦合发送数据;提供数据存储组件(10)的数据;开关(11)置于不导通状态;经具有极化保持的电容器(12)把第一恢复信号施加到开关(11)的第一电流导通电极上;把充电电压施加到开关(11)的第二电流导通电极上;除掉加到开关(11)的第二电流导通电极的充电电压;开关(11)置于导通状态;响应在开关(11)的第二当前导通电极上的电压,施加数据值电压到开关(11)的第二当前导通的电极,以便从数据存储组件(10)读数据;经过具有极化保持(12)的电容把第二恢复信号施加到开关(11)的第一当前导通电极上;和开关(11)置于不导通状态,以便在数据存储组件(10)中恢复数据。
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