[发明专利]阴极溅射靶以及这类靶的制造方法无效
申请号: | 96111519.X | 申请日: | 1996-08-17 |
公开(公告)号: | CN1066782C | 公开(公告)日: | 2001-06-06 |
发明(设计)人: | K·-H·戈伊;D·弗朗西斯;J·施尔克;F·索尔茨;B·舍罗尔;H·波迈耶 | 申请(专利权)人: | W·C·贺利氏股份有限两合公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34;C04B35/01 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了基于密度为理论密度的至少95%且有不足化学计量氧含量的热压或均衡热压氧化铟/氧化锡粉末的阴极雾化靶。为了按此制成具有高强度和高溅射速度的靶,本发明提出使该靶具有晶体相,其重量组成的至少90%,优选至少97%为氧化铟和氧化锡的混合晶体相,并且具有2—20微米的平均粒径。为了获得用氧化铟/氧化锡制造靶的简化且低廉的方法,可准确调节氧含量并在整个靶体积内达到均匀化学组成,其中建议用通过细粒铟-锡金属氧化而制成的初始粉末。 | ||
搜索关键词: | 阴极 溅射 以及 这类 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阴极溅射靶,该靶基于密度至少为理论密度的95%并且氧含量不足化学计量的热压或均衡热压的氧化铟/氧化锡粉末,其特征在于该靶具有晶体相,该晶体相重量组成的至少90%呈现为氧化铟和氧化锡混合晶体形式,并且平均粒径为2-20微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于W·C·贺利氏股份有限两合公司,未经W·C·贺利氏股份有限两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96111519.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:控制扩展数据服务(EDS)数据更新的系统
- 下一篇:新的杀螨活性的四嗪衍生物
- 同类专利
- 专利分类