[发明专利]曝光方法和曝光设备

摘要

一种曝光设备和方法，可优化光致抗蚀剂膜的曝光，而与光致抗蚀剂膜因曝光而发生的化学反应无关。利用第1光致抗蚀剂膜和第1半导体片测量最佳曝光，并将获得的数据存到存储器中。然后用相同的曝光对第2半导体片上的第2光致抗蚀剂膜曝光，测量开始曝光时由第2光致抗蚀剂膜和第2半导体片的反射光强。读出存储的第1光致抗蚀剂膜和第1半导体片的最佳曝光时间数据，将它用作第2光致抗蚀剂膜和第2半导体片的最佳曝光时间。

主权项

1.一种曝光方法，利用专门的曝光对半导体片上的光致抗蚀剂膜进行曝光，其特征在于，该方法包括下列步骤：(a)在第1半导体片上形成第1光致抗蚀剂膜；(b)把曝光照射到所述第1光致抗蚀剂膜上；(c)在曝光开始时，测量由所述第1半导体片上的基底材料反射的反射光强；(d)测量所述第1光致抗蚀剂膜和所述第1半导体片的最佳曝光时间；(e)在存储器中存储所述最佳曝光时间数据；(f)在第2半导体片上形成第2光致抗蚀剂膜；(g)利用所述步骤(b)的曝光，照射到所述第2光致抗蚀剂膜上；(h)在曝光开始时，测量由所述第2半导体片上的基底材料反射的反射光强；(i)读出所述存储器中存储的所述最佳曝光时间数据；和(j)根据读出的所述最佳曝光时间数据，确定所述第2光致抗蚀剂膜和所述的第2半导体片的曝光时间。