[发明专利]具有电容器的半导体存储器件的制造方法

摘要

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法包括在基底上形成覆盖晶体管第一绝缘层；形成穿过第一绝缘层与漏和源极之一连接的第一导电层；形成第二绝缘层与堆叠层，在堆叠层侧壁形成第三绝缘层；形成第四绝缘层；形成开口及填满开口的第二导电层；形成第三导电层，穿过第二导电层与第一导电层连接；对第一、第三导电层构图，使各导电层构成存储电极；去除第二、第三绝缘层；形成介电层；形成第四导电层以构成相对电极。$＃!

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中半导体存储器件包括一基底、形成在该基底上的一转移晶体管、以及一电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上的存储电容器。该制造方法包括下列步骤：a．在该基底上形成一第一绝缘层，覆盖住该转移晶体管；b．在该第一绝缘层上形成一蚀刻保护层，c．形成一第二绝缘层；d．在该第二绝缘层上形成一堆叠层，其具有一凹口；e．在该堆叠层侧壁形成一第三绝缘层；f．形成一第四绝缘层，使之填满堆叠层的凹口；g．去除该第三、第四绝缘层以及位于该第三绝缘层下方的绝缘层，以形成一开口，该开口不接触该蚀刻保护层；h．形成一第一导电层，使之填满该堆叠层的凹口与该开口；i．去除该堆叠层；j．形成一第五绝缘层；k．形成一第二导电层，穿过至少该第五绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、蚀刻保护层以及第一绝缘层，与该转移晶体管的该漏极和源极区之一电连接；l．去除位于该第五绝缘层上方的部分该第二导电层，以构成一类树干状导电层，而该第一导电层构成一类树枝状导电层，且该第一、第二导电层构成该存储电容器的一存储电极；m．去除该第二、第五绝缘层；n．在第一、第二导电层暴露出的表面上，形成一介电层；以及o．在该介电层的表面上形成一第三导电层，以构成该存储电容器的一相对电极。