[发明专利]具有电容器的半导体存储器件

摘要

一种具有电容器的半导体存储器件,包括基片、形成在该基片上的转移晶体管存储电容器。转移晶体管有漏极和源极区,其中之一接到存储电容器。存储电容器包含一类树干状导电层、至少一类树枝状导电层、一介电层与一上导电层,其中,类树干状导电层和类树枝状导电层构成存储电容的一存储电极,上导电层构成存储电容器的一相对电极。

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件包括：一基片；一转移晶体管，形成在该基片上，并包括漏极和源极区；以及一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从底部延伸出，至少一类树枝状导电层，具有一似L形的剖面，类树枝状导电层的一末端连接在该类树干状导电层的内表面上，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成存该储电容器的一存储电极，一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层曝露出的表面上；以及一上导电层，形成在介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。