[发明专利]间隔温差法合成0.5～1mm金刚石单晶的组装方法无效
| 申请号： | 96113124.1 | 申请日： | 1996-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1177520A | 公开（公告）日： | 1998-04-01 |
| 发明（设计）人： | 方啸虎 | 申请（专利权）人： | 方啸虎 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 余杭中平专利事务所 | 代理人： | 翟中平 |
| 地址： | 311100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属晶体生长制造领域采用间隔温差法(插入温差法)让其有更多的生长中心,生长出粗粒度主要峰值在0.5～1mm的单晶金刚石。其组装方法是2～6层小触媒立装在含石墨片的叶蜡石方块腔体内,其含有小触媒的石墨层间由石墨片间隔,小触媒间的温差为20～30℃,小触媒形状为□状或丝状或球状且俯视呈放射性排列或平行状排列或同心圆状排列或有规律的排列,小触媒间的间距为等距或不等距。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔 温差 合成 0.5 mm 金刚石 组装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种间隔温差法合成0.5～1mm金刚石单晶的组装方法，其特征是：2～6层小触媒(5)纵向立装在石墨层(4)内，置于叶蜡石方块(1)的腔体内，其小触媒石墨层间由石墨片间隔。
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