[发明专利]成像设备和成像方法无效
申请号: | 96113284.1 | 申请日: | 1996-08-21 |
公开(公告)号: | CN1101944C | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 江原俊幸;河田将也 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/08 | 分类号: | G03G5/08;G03G15/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种成像设备,它有具有改善了的温度特性和改善了的电性能的感光元件和无臭氧充电系统组合,而且既不用加热器也不用清洁辊,在该设备中,带有500G或更强的圆柱形多极磁体和由磁粉在磁体的圆周表面上形成的磁刷层的充电元件以运动速度比不少于110%在反向摩擦充电体的表面对充电体充电。该充电体是带有由非单晶构成的光导层的感光元件。 | ||
搜索关键词: | 成像 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成像设备,用于通过对包括一圆柱形多极磁体和由磁粉在该圆柱形多极磁体圆周表面形成的刷层的充电元件施加电压,并通过反向运动用该刷层表面和充电体表面磨擦对其充电,而在充电体表面形成静电潜像,其中所述的充电体是在一个导电支持体上的一个感光元件,该感光元件具有一个光导层,该光导层包括一种非单晶材料,该非单晶材料包含作为基质的硅原子和氢和/或卤原子,所述的光导层含氢的量为10到30原子%,Si-H2/Si-H的比为0.2到0.5,态密度为1×1014cm-3到1×1016cm-3,至少在光引入部分的次能带光吸收谱所导出的指数曲线拖尾的特征能为从50到60meV,且表面电阻率是1×1010到5×1015Ωcm;多极磁体的磁力不低于500G;磁粉的电阻率为1×104到1×109Ωcm和颗粒直径是10到50μm;刷层和充电体上的一点的接触时间不短于10毫秒;充电元件和充电体的相对运动速度的关系(a-b)/a×100%不小于110%,其中a是充电体的运动速度,b是充电元件的运动速度,且充电体的旋转方向定为正向。
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