[发明专利]超细二氧化硅的制备方法无效
| 申请号： | 96114245.6 | 申请日： | 1996-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1056588C | 公开（公告）日： | 2000-09-20 |
| 发明（设计）人： | 袁伟 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 北京北化大专利事务所 | 代理人： | 何清,霍京华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超细二氧化硅的制备方法。在常规的加酸沉淀法的基础上，添加六亚甲基四胺、与水不溶的有机溶剂和少量阴离子表面活性剂，特别是采用了产物不经干燥直接灼烧的方法，克服了现有技术中粒子易粘连的缺点。采用本发明的方法制得的超细二氧化硅，一次粒子的平均直径为２０—３０ｎｍ，二次粒子平均直径为１００—１５０ｎｍ，且粒径分布窄，分散性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备超细二氧化硅的方法，采用加酸沉淀方法，依次包括下列步骤：A.在水中加入硅酸钠和六亚甲基四胺，六亚甲基四胺的添加量按重量计为二氧化硅量的30％-120％，再加入对水的体积比为0.7-1.8与水不溶的有机溶剂和按重量计为有机溶剂量0.05-3％的阴离子表面活性剂，搅拌形成油包水的乳液；B.向A的乳液中加入稀硫酸，进行沉淀反应；C.将B所形成的沉淀过滤，不经干燥直接在500-800℃下灼烧2-5小时，得到超细二氧化硅。
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