[发明专利]带有改善磁稳性提供均匀电流的导体几何形状的磁阻器件无效

专利信息
申请号: 96117286.X 申请日: 1996-12-06
公开(公告)号: CN1165302A 公开(公告)日: 1997-11-19
发明(设计)人: 史里德哈·巴叔瓦尔 申请(专利权)人: 昆腾外围设备科罗拉多公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G11B5/39;G11B5/56
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 美国科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 特别是在读回操作期间为了有效地消除不希望有的畴壁形成,提供一种磁阻(“MR”)器件装有的改进的导体几何形状,由于提供基本上均匀的电流通过器件有源区增强了磁稳定性。使一对电流导体形成与磁阻器件电连接并且使一对电流导体成型以对顺轴小于90°的角度把电流输入磁阻器件。
搜索关键词: 带有 改善 磁稳性 提供 均匀 电流 导体 几何 形状 磁阻 器件
【主权项】:
1.一种磁阻器件包括:磁阻层,在其有源区有纵向延伸的易磁化轴;在所述的磁阻层下面为向该处提供横向偏磁的软邻接层;介于在所述的磁阻层和所述的软邻接层之间的磁性间隔层;和第一和第二电流导体与所述的磁阻器件成电连接,上述的第一和第二电流导体被构成为,把电流以相对于所述的易磁化轴小于90°的角度提供给所述的磁阻器件。
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