[发明专利]用多晶硅原料制备熔硅的方法无效
| 申请号： | 96117958.9 | 申请日： | 1996-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1157342A | 公开（公告）日： | 1997-08-20 |
| 发明（设计）人： | K-M·吉姆;L·A·艾伦 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于由切氏法制造单晶硅的由多晶制备熔硅的方法。粒状多晶硅和块状多晶硅形成混合原料装入切氏坩埚。粒状多晶硅最好装在底面上，对着坩埚的中心线堆起，不接触坩埚壁的上半部分。块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面。熔化粒状多晶硅和块状多晶硅以形成熔硅。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 原料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：将粒状多晶硅和块状多晶硅装入坩埚，块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面，和使粒状多晶硅和块状多晶硅熔化以形成熔硅。
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