[发明专利]薄膜器件工艺形成凹状光致抗蚀剂剥离外形的方法及器件无效
申请号: | 96119765.X | 申请日: | 1996-12-10 |
公开(公告)号: | CN1157479A | 公开(公告)日: | 1997-08-20 |
发明(设计)人: | 迈克尔·J·詹尼斯 | 申请(专利权)人: | 昆腾外围设备科罗拉多公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 特别配合自对准溅射薄膜,如磁阻读头的永磁薄膜,形成薄膜器件工艺中的凹状光致抗蚀剂剥离外形的方法及器件。在衬底的薄膜层上制成光致法抗蚀剂图形,然后显影,形成大体上垂直侧壁的光致抗蚀剂区域。然后用电子束等加速大剂量的电子,打入光致抗蚀剂到孔控制深度来横向交联(或变得较难溶)正色调抗蚀图象的上面部分。然后使第二电子束散布在遍及整个光致抗蚀剂厚度上,使下面部分在显影液中变得较易溶。然后抗蚀剂显影一段时间,在其下面部分中形成下部凹陷。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 器件 工艺 形成 凹状光致抗蚀剂 剥离 外形 方法 | ||
【主权项】:
1.使在衬底上制成图形的光致抗蚀剂容易剥离的工艺结合所述的衬底的照相平版印刷工艺确定表面轮廓,所述的工艺包括的步骤为:在所述的衬底的主表面上制作所述的光致抗蚀剂图形以确定图形区域;交联所述的光致抗蚀剂的第一部分;该部分元离所述衬底;溶解所述的光致抗蚀剂的第二部分,该部分邻近所述衬底;显影所述的光致抗蚀剂使在围绕所述的图形区域外围的所述的光致抗蚀剂中产生下部凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造