[发明专利]清洗桶式反应器用的方法和装置无效
申请号: | 96119772.2 | 申请日: | 1996-12-10 |
公开(公告)号: | CN1158493A | 公开(公告)日: | 1997-09-03 |
发明(设计)人: | 托马斯·M·汉利 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马江立 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 利用反应气体通过化学汽相沉积法将材料沉积在半导体晶片上用的反应器,包括限定反应室的壳体,壳体有一个开口进入反应室并从中延伸离开的喷口空腔。也包括将反应气体输入反应室的反应气体输送系统,该系统包括设在喷口空腔内的喷嘴、反应气体源和连接气源和喷嘴的管线。还包括将清洗气体输入反应室的清洗气体输送系统,该系统包括进入喷口空腔用于引入清洗气体的出口、清洗气体源和从气源向出口输气的装置。 | ||
搜索关键词: | 清洗 反应 器用 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种利用反应气体通过化学汽相沉积法将材料沉积在半导体晶片上用的反应器,该反应器包括:一个限定反应室的壳体,反应室的尺寸能容纳至少一个半导体晶片,该壳体有一个开口进入上述反应室并从该反应室延伸离开的喷口空腔;一个将反应气体输送到反应室用的反应气体输送系统,该反应气体输送系统包括:a)一个安置在喷口空腔内的喷嘴,用于将反应气体引入反应室;b)一个反应气体源,用于在将反应气体通过喷嘴引入反应室之前贮存该反应气体;和c)一个延伸在反应气体源和喷嘴之间的反应气体管线,用于将反应气体输送到喷嘴;以及一个清洗气体输送系统,它包括:a)一个开口进入上述喷口空腔的清洗气体出口,用于将清洗气体引入该喷口空腔,以便从该空腔清洗去反应气体;b)一个清洗气体源,用于在引导清洗气体通过清洗气体出口进入喷口空腔之前贮存清洗气体;和c)用于将清洗气体从清洗气体源输送到清洗气出口以清洗喷口空腔的装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造