[发明专利]复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种复合式SOI基片，其容许通过使用传统可见光校准器，对埋于SOI基片内的绝缘体膜图型及在SOI基片层上形成的图型进行高精度校准。复合式SOI基片是通过在第一硅基片10的主表面边缘上形成校准氧化物薄膜图型1a；制备在其边缘有最好是V形槽部分9的第二硅基片以使第一硅基片上的校准图型晶露出来；将第二硅基片与所述第一硅基片10的主表面相联接同时将校准，氧化物薄膜图型1a显露出来；然后将第二硅基片变薄形成为一个SOI层20a。$#!

主权项

1.一种复合式的SOI基片，它包括：具有一个主表面的第一硅基片，所述主表面有隐埋于所述主表面的绝缘体膜形成的多个图型，所述的多个图型包括在所述的第一硅基片的边缘部分之上的校准图型；其特征在于还包含：一个与所述的第一硅基片相联接的一个第二硅基片，所述的第二硅基片与所述的第一硅基片的所述主表面相联接，其中在所述的第一硅基片的所述边缘部分之上的所述校准图型是显露的。