[发明专利]使金属层构成图案的方法无效
| 申请号： | 96120116.9 | 申请日： | 1996-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1151574A | 公开（公告）日： | 1997-06-11 |
| 发明（设计）人： | 卢载遇 | 申请（专利权）人： | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;H01F41/14;C23F1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在薄膜磁头中形成下磁极的方法，该下磁极的形状使在其上形成薄的绝缘层更为简便。该方法包括在基底上形成磁层；在磁层上面沉积掩模层；使用离子注入法在掩模中形成离子注入层；使用蚀刻剂，蚀刻掩模层的一部分，以形成第一倾斜壁；使用蚀刻剂，蚀刻掩模层的另一部分，以形成第二倾斜壁，由此获得形成有图案的掩模层；及使用离子磨削法，使磁层形成与形成有图案的掩模层相同的构型的图案，以此获得下磁极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 构成 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、使一个形成在基底上的金属层构成图案的方法，该方法包括以下步骤：(a)在金属层上形成一个形成有图案的掩模层，该掩模层的形状使得在其上容易形成薄膜；及(b)使该金属层构成一个与形成有图案的掩模层相同构型的图案。
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