[发明专利]用于减少芯片空间的沟槽划线无效
| 申请号： | 96121764.2 | 申请日： | 1996-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1159075A | 公开（公告）日： | 1997-09-10 |
| 发明（设计）人： | J·W·奥克特 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种划分和分开半导体晶片(21)上芯片的方法，其中对晶片进行刻蚀构图，以某种图案最好是栅格图案，在半导体晶片选中的表面上刻蚀相交凹槽的图案，以在该表面上确定芯片区。然后以图案的形状形成沟槽(27)并把选中的表面粘到带(29)上。然后使光从图案处通过带并通过半导体晶片，形成与通过晶片的光对准的相交拉锯切口或凹槽(28)的图案。锯口(28)从相对于选中表面的晶片(21)的表面延伸并与相交沟槽的图案对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 芯片 空间 沟槽 划线 | ||
【主权项】：
1.一种分开半导体晶片上的芯片的方法，其特征在于包括以下步骤：(a)提供半导体晶片；(b)在所述晶片被选中的表面上刻蚀相交沟槽的图案，以确定所述表面的芯片区；(c)形成凹槽，该凹槽从相对于所述选中表面的所述晶片的表面延伸，并与所述相交沟槽的所述图案对准；以及(d)使所述凹槽延伸到所述相交沟槽的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
