[发明专利]氧化物半导体热敏电阻器的制造方法无效
| 申请号： | 96122179.8 | 申请日： | 1996-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1046051C | 公开（公告）日： | 1999-10-27 |
| 发明（设计）人： | 康健;杨文;张昭;王大为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司： | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化物半导体热敏电阻器的制造方法，其主要是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分散、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型，具有体积小，稳定性好，可靠性高等特点，适用于温度测量、控制和线路补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 热敏 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．氧化物半导体热敏电阻器的制造方法，其特征在于，该热敏电阻是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂OP进入清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧，再进行预成型，冷等静压高湿烧结制成；原材料各组份配比为(摩尔百分比％)钴35-40锰30-40镍12-16铁2-6
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